Un système de dépôt en couche atomique (ALD)

Motifs de l'adjudication

Das gewählte Material entspricht zum jetzigen und voraussehbaren Zeitpunkt am ehesten unseren finanziellen Mitteln und Bedürfnissen (Sicherung der Investitionen) unter Berücksichtigung der schnellen Entwicklung der Anforderungen in der Forschung.

Description

L'EPFL envisage d'acquérir un système de dépôt en couche atomique (ALD) pour son laboratoire de dispositifs nanoélectroniques (NANOLAB) de la Faculté École Polytechnique (STI). L'équipement sera dédié au dépôt de couches minces de matériaux oxydes et nitrures compatibles avec la technologie CMOS, incluant le VO2, ZrO2, HfO2, HZO, SiO2, TiN, Al2O3 pour la fabrication de dispositifs à faible consommation d'énergie pour le traitement et le stockage de l'information et des capteurs écoénergétiques. En ce qui concerne les besoins de l'EPFL et les objectifs scientifiques spécifiques de son NANOLAB, l'accent sera mis sur les processus et systèmes de matériaux suivants : - Matériaux à changement de phase basés sur le VO2 (pur et dopé), incluant des couches ultra-minces adaptées pour les canaux de transistors à effet de champ - Couches minces de HfO2, ZrO2 et (Hf,Zr)O2 ferroélectriques/antiferroélectriques intégrées sur TiN, VO2, et Si/SiO2 pour mémoires non volatiles et circuits neuromorphiques - Oxydes comme SiO2 et Al2O3 incluant des structures multicouches incorporant les matériaux fonctionnels mentionnés ci-dessus