zwei Sätze von acht Öfen zu erwerben, bestehend aus vier Rohren für chemische Niederdruck-Dampfabscheidungsverfahren (LPCVD) und vier atmosphärischen Rohren für die CMi

Begründung des Auftraggebers

Das gewählte Material entspricht zum jetzigen und voraussehbaren Zeitpunkt am ehesten unseren finanziellen Mitteln und Bedürfnissen (Sicherung der Investitionen) unter Berücksichtigung der schnellen Entwicklung der Anforderungen in der Forschung.

Beschreibung

Die EPFL beabsichtigt, zwei Sätze von acht Öfen zu erwerben, bestehend aus vier Rohren für chemische Niederdruck-Dampfabscheidungsverfahren (LPCVD) und vier atmosphärischen Rohren für ihr MicroNanotechnologie Center (CMi). Die Bewertung basiert auf der Prozessleistung, der Robustheit der Ausrüstung und der Benutzerfreundlichkeit/Wartungsfreundlichkeit. Die Leistung wird anhand der Einheitlichkeit der Abscheidung/des Wachstums, der Wiederholbarkeit und der Prozessdauer bewertet. Die allgemeinen Anforderungen sind: • (1 Rohr) LPCVD-Deposition von Polysilicium (Poly-Si), amorphem Silicium (aSi), N-dotiertem Polysilicium (N-Si) und P-dotiertem Polysilicium (P-Si) hoher Qualität und Dichte mit geringen Verunreinigungs- und Wasserstoffgehalten. • (1 Rohr) LPCVD-Abscheidung von hochgradig stechiometrischem, hochbelastetem Siliziumnitrid (Si3N4) und niedrigbelastetem Siliziumnitrid (lsnit) hoher Qualität und Dichte mit geringen Verunreinigungen und Wasserstoffgehalten. • (1 Rohr) LPCVD-Abscheidung von SiO2-Oxid (LTO) mit hoher Qualität und Dichte bei niedriger Temperatur, niedrigem Verunreinigungs- und Wasserstoffgehalt. • (1 Rohr) LPCVD-Deposition von SiO2 TEOS-Oxid mit hoher Qualität und Dichte, niedrigem Verunreinigungs- und Wasserstoffgehalt. • (1 Rohr) Trockene thermische Oxidation von Silizium. • (1 Rohr) Feuchtig/trockene thermische Oxidation von Silizium. • (1 Rohr) Hitzeglühen bei hohen Temperaturen (1250°C) unter N2. • (1 Rohr) Feuchtig/trockene thermische Oxidation von Silizium, unter Formgas (N2/H2) oder Stickstoff N2 geglüht.