2 sets de 8 fours comprenant 4 tubes pour des procédés de dépôt chimique à basse pression vapeur (LPCVD) et 4 tubes atmosphériques pour le CMi

Motifs de l'adjudication

Das gewählte Material entspricht zum jetzigen und voraussehbaren Zeitpunkt am ehesten unseren finanziellen Mitteln und Bedürfnissen (Sicherung der Investitionen) unter Berücksichtigung der schnellen Entwicklung der Anforderungen in der Forschung.

Description

L’EPFL a l’intention d’acquérir 2 sets de 8 fours comprenant 4 tubes pour des procédés de dépôt chimique à basse pression vapeur (LPCVD) et 4 tubes atmosphériques pour son Centre de MicroNanotechnologies (CMi). L’évaluation sera basée sur la performance des procédés, sur la robustesse de l’équipement, la facilité d’utilisation/maintenance. Les performances seront évaluées sur l’uniformité de déposition/croissance, la répétabilité et la durée des procédés. Les exigences générales sont : · (1 Tube) Déposition par procédé LPCVD de polysilicium (Poly-Si), silicium amorphes (aSi), polysilicium dopé N (N-Si) et polysilicium dopé P (P-Si) de haute qualité et densité, avec de faibles teneurs en impuretés et hydrogène. · (1 Tube) Déposition par procédé LPCVD de nitrure de silicium hautement stœchiométrique à forte contrainte (Si3N4) et de nitrure de silicium riche en silicium à faible contrainte (lsnit) de haute qualité et densité, avec de faibles teneurs en impuretés et hydrogène. · (1 Tube) Déposition par procédé LPCVD d’oxyde SiO2 à basse température (LTO) de haute qualité et densité, avec de faibles teneurs en impuretés et hydrogène. · (1 Tube) Déposition par procédé LPCVD d’oxyde SiO2 TEOS de haute qualité et densité, avec de faibles teneurs en impuretés et hydrogène. · (1 Tube) Oxydation thermique sèche de silicium. · (1 Tube) Oxydation thermique humide/sèche de silicium. · (1 Tube) Recuit thermique haute température (1250°C) sous N2. · (1 Tube) Oxydation thermique humide/sèche de silicium, recuit sous forming gaz (N2/H2) or azote N2.